2016年1月8日，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行，由习近平主席亲自颁奖。南昌大学江风益团队自主研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获国家技术发明唯一一等奖。

该获奖团队成员包括晶能光电副总裁孙钱博士等六人。据孙钱博士介绍，硅衬底LED技术是全球首创，仍有巨大的发展空间，使LED产品综合成本进一步大幅度降低，这将影响全球LED行业，重塑竞争格局。目前，围绕该项目已申请专利330多项，已授权专利147项，其中授权国际专利47项。这些专利将是构建中国LED产业知识产权池的基石，对我国的LED产业格局和产业安全将产生重大的影响。

孙钱博士是我国大尺寸硅衬底氮化镓LED产业的引领人。1995就读于江苏省通州高级中学，1998年考入中国科技大学，2002年提前一年毕业，获双学士学位，并荣获郭沫若校长奖学金。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年8月获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院最高奖Becton奖学金。毕业后在耶鲁大学留任副研究员，承担和参与了多个重点科研项目，申请并获得了美国多项科研资助。带领团队取得了包括国际技术专利的一系列创新成果。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司，任外延研发科学家，实现了与蓝宝石衬底上的顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160流明/瓦。该成果目前处于世界领先水平，在学术界和工业界引起了巨大反响。 2011年入选中组部的首批“青年千人计划”，苏州市“金鸡湖双百人才（海外高层次引进人才）”。迄今为止共发表了50余篇被SCI收录的学术论文。平均总引用600余次，H-index为14。曾受国际氮化物会议IWN以及SPIE Photonics West国际会议委员会邀请作大会报告。还应邀为Nano Letters、Nanotechnology、 Applied Physics Letters等多家国际知名学术期刊评审论文。

孙钱博士获国家技术发明奖殊荣，不仅是他个人的荣耀，作为他的母校，我们通州高级中学也倍感骄傲。他中学时代，才华卓远，为众生翘楚；他大学时代，找准“兴奋点”，是科研的好苗子；他海外深造，结出累累硕果；他回国筑梦，突破世界级难题。他缔造的流光溢彩的“硅”时代，将绚烂整个世界。他坚实的臂膀，就像明亮的灯塔，指引我们通高师生前进的方向。（通高宣）